casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE201210U-2R2M=P2
Número da peça de fabricante | DFE201210U-2R2M=P2 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DFE201210U-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201210U |
DFE201210U-2R2M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.2A |
Atual - saturação | 2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201210U-2R2M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE201210U-2R2M=P2-FT |
DFE252010P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R33M=P2
Murata Electronics North America
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel