casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE201612P-R33M=P2
Número da peça de fabricante | DFE201612P-R33M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE201612P-R33M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201612P |
DFE201612P-R33M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 5.6A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201612P-R33M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE201612P-R33M=P2-FT |
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1S02D
Murata Electronics North America
EPF10K50ETI144-2N
Intel
LFXP3E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100M
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEA3K2F35C3N
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
EP3CLS150F780C8N
Intel
EP20K160EQC240-1X
Intel