casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE201612P-R33M=P2
Número da peça de fabricante | DFE201612P-R33M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE201612P-R33M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201612P |
DFE201612P-R33M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 5.6A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201612P-R33M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE201612P-R33M=P2-FT |
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1S02D
Murata Electronics North America
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
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10CL055YF484I7G
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Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
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LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation