casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE201612PD-1R0M=P2
Número da peça de fabricante | DFE201612PD-1R0M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE201612PD-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201612P |
DFE201612PD-1R0M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.2A |
Atual - saturação | 2.7A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201612PD-1R0M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE201612PD-1R0M=P2-FT |
LQG15WZ3N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N6C02D
Murata Electronics North America
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel