casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE201210S-1R0M=P2
Número da peça de fabricante | DFE201210S-1R0M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE201210S-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201210S |
DFE201210S-1R0M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.3A |
Atual - saturação | 3.2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201210S-1R0M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE201210S-1R0M=P2-FT |
DFE252010P-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R0M=P2
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel