Número da peça de fabricante | DFB2010 |
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Número da peça futura | FT-DFB2010 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DFB2010 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TS-6P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB2010 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFB2010-FT |
FUO50-16N
IXYS
GUO40-12NO1
IXYS
FUO22-12N
IXYS
FBS16-06SC
IXYS
DD170N16SHPSA1
Infineon Technologies
GHXS030A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1E
Global Power Technologies Group
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel