casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GHXS030A120S-D1
Número da peça de fabricante | GHXS030A120S-D1 |
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Número da peça futura | FT-GHXS030A120S-D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GHXS030A120S-D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Silicon Carbide Schottky |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 30A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS030A120S-D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GHXS030A120S-D1-FT |
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
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VUO82-08NO7
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VUO62-16NO7
IXYS
VBO52-14NO7
IXYS
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel