casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / FUO22-12N
Número da peça de fabricante | FUO22-12N |
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Número da peça futura | FT-FUO22-12N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FUO22-12N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 28A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.62V @ 30A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | i4-Pac™-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FUO22-12N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FUO22-12N-FT |
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
VBO72-16NO7
IXYS
VBO72-18NO7
IXYS
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
IXYS
VUO62-14NO7
IXYS
VUO62-18NO7
IXYS
VUO82-08NO7
IXYS
VUO82-12NO7
IXYS
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel