casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q1N9SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q1N9SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q1N9SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q1N9SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.9nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 330mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N9SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q1N9SNC-FT |
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR16MNE
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CIGT201210UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47MNE
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CIGT201210UMR68MNE
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CIG21F1R0MNC
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CIG21F1R5MNC
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CIG21F2R2MNC
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XC2S150-6FG456C
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