casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q1N6SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q1N6SNC |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIH03Q1N6SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q1N6SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.6nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 410mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N6SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q1N6SNC-FT |
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR16MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K50ETI144-2N
Intel
LFXP3E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100M
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEA3K2F35C3N
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
EP3CLS150F780C8N
Intel
EP20K160EQC240-1X
Intel