casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201210UHR47MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201210UHR47MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201210UHR47MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201210UHR47MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 470nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.6A |
Atual - saturação | 5.4A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR47MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201210UHR47MNE-FT |
CIG22B2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
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CIGT252007LM1R0MNC
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CIGT252007LM3R3MNC
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CIGT252008EH1R0MNE
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CIGT252010LM2R2MNE
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CIGT252012LM2R2MNE
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XCKU035-2FBVA900I
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M2GL010T-1VFG400
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M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
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10CL055YF484I7G
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EPF10K50VFC484-1
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5SGXMB6R3F40I3N
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XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation