casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q1N2SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q1N2SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q1N2SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q1N2SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.2nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 420mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N2SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q1N2SNC-FT |
CIGT201208EMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel