casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201610UH2R2SNE
Número da peça de fabricante | CIGT201610UH2R2SNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIGT201610UH2R2SNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610UH2R2SNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UH2R2SNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610UH2R2SNE-FT |
CIGW252010GL2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
Intel
EPF10K30EFC484-2X
Intel
EP4SE360H29C2
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
Intel