casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIG22B3R3MNE
Número da peça de fabricante | CIG22B3R3MNE |
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Número da peça futura | FT-CIG22B3R3MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG22B |
CIG22B3R3MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.05A |
Atual - saturação | 960mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 216 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22B3R3MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG22B3R3MNE-FT |
CIH05T6N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel