casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW252010GL2R2MNE
Número da peça de fabricante | CIGW252010GL2R2MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGW252010GL2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW252010GL2R2MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.2A |
Atual - saturação | 2.6A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 93 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GL2R2MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW252010GL2R2MNE-FT |
CIH05T2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel