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Número da peça de fabricante | CIG32W1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIG32W1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG32W |
CIG32W1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.5A |
Atual - saturação | 2.7A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 60 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG32W1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG32W1R0MNE-FT |
CIH10TR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation