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Número da peça de fabricante | CIG32H2R2MNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIG32H2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG32H |
CIG32H2R2MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.6A |
Atual - saturação | 2.9A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 125 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG32H2R2MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG32H2R2MNE-FT |
CIH10TR10JND
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXEA7K2F40C2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4VLX40-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation