casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT252008LMR33MNE
Número da peça de fabricante | CIGT252008LMR33MNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIGT252008LMR33MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT252008LMR33MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.3A |
Atual - saturação | 5.8A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 26 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LMR33MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT252008LMR33MNE-FT |
CIH05Q7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q91NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation