casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT252012LM1R0MNE
Número da peça de fabricante | CIGT252012LM1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT252012LM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT252012LM1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.4A |
Atual - saturação | 4.5A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252012LM1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT252012LM1R0MNE-FT |
CIH05Q9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR27JNC
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CIH05T1N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
AGLE600V2-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC484-1
Intel
5SGXMB5R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
XC4005L-5PC84C
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XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5M13C7N
Intel