casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C3V9-G3-18
Número da peça de fabricante | BZT52C3V9-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZT52C3V9-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C3V9-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C3V9-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52C3V9-G3-18-FT |
BZT52B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel