casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C11-G3-18
Número da peça de fabricante | BZT52C11-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZT52C11-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C11-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 6 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 8.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C11-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52C11-G3-18-FT |
BZT52B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C3N
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation
EP4SGX230FF35C3ES
Intel