casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B9V1-HE3-08
Número da peça de fabricante | BZT52B9V1-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZT52B9V1-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B9V1-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B9V1-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52B9V1-HE3-08-FT |
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel