casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B110P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B110P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B110P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B110P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B110P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B110P-HE3-18-FT |
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXEA4H3F35I4N
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
EPF10K50RC240-3
Intel