casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C110P-E3-08
Número da peça de fabricante | BZD17C110P-E3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD17C110P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZD17C110P-E3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C110P-E3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD17C110P-E3-08-FT |
MMSZ5266B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation