casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C110P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD17C110P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD17C110P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZD17C110P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C110P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD17C110P-E3-18-FT |
MMSZ5266C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5266C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5267B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation