casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B110P-HE3-08
Número da peça de fabricante | BZD27B110P-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B110P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B110P-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B110P-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B110P-HE3-08-FT |
BZD27C3V6P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-1FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
10AX016C3U19I2SG
Intel
XC5VLX85-1FF1153I
Xilinx Inc.
AGL400V2-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel