casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV430J-600PQ
Número da peça de fabricante | BYV430J-600PQ |
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Número da peça futura | FT-BYV430J-600PQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV430J-600PQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 90ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV430J-600PQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV430J-600PQ-FT |
MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CTR
GeneSiC Semiconductor
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel