casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV430J-600PQ
Número da peça de fabricante | BYV430J-600PQ |
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Número da peça futura | FT-BYV430J-600PQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV430J-600PQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 90ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV430J-600PQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV430J-600PQ-FT |
MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CT
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MUR30005CTR
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MUR30010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CTR
GeneSiC Semiconductor
LFE2-6E-5TN144C
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XC2S200-5FG256C
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EP4CE15F23C7
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5SGXMA7N3F40I4N
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5SGXEABK2H40C2L
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XC4VFX20-10FFG672I
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LCMXO3L-2100C-6BG256C
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ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
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10AX048E2F29I1SG
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