casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MUR20060CT
Número da peça de fabricante | MUR20060CT |
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Número da peça futura | FT-MUR20060CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUR20060CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 110ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR20060CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUR20060CT-FT |
DD600N16KAHPSA1
Infineon Technologies
DD600N16KHPSA3
Infineon Technologies
DD600N18KHPSA2
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DD700N22KHPSA3
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DD710N16KHPSA2
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DD89N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KKHPSA1
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DD89N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KKHPSA1
Infineon Technologies
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel