casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MUR30010CTR
Número da peça de fabricante | MUR30010CTR |
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Número da peça futura | FT-MUR30010CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUR30010CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 90ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR30010CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUR30010CTR-FT |
DD89N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KHPSA1
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DD89N12KKHPSA1
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DD89N14KHPSA1
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DD89N18KHPSA1
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DD98N22KHPSA1
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A1020B-VQ80I
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LCMXO256E-4T100C
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XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
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EP3SE80F1152C4L
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EP4SE820H35I3N
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XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel