casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYS10-45-M3/TR
Número da peça de fabricante | BYS10-45-M3/TR |
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Número da peça futura | FT-BYS10-45-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYS10-45-M3/TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS10-45-M3/TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYS10-45-M3/TR-FT |
US1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel