casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10D-M3/TR
Número da peça de fabricante | BYG10D-M3/TR |
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Número da peça futura | FT-BYG10D-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10D-M3/TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10D-M3/TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10D-M3/TR-FT |
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel