casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10D-E3/TR3
Número da peça de fabricante | BYG10D-E3/TR3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BYG10D-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYG10D-E3/TR3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10D-E3/TR3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10D-E3/TR3-FT |
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.