casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BY229B-800HE3/81
Número da peça de fabricante | BY229B-800HE3/81 |
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Número da peça futura | FT-BY229B-800HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BY229B-800HE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 145ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-800HE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BY229B-800HE3/81-FT |
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel