casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 10ETS12S
Número da peça de fabricante | 10ETS12S |
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Número da peça futura | FT-10ETS12S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
10ETS12S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETS12S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 10ETS12S-FT |
VS-12TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel