casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 10ETF12S
Número da peça de fabricante | 10ETF12S |
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Número da peça futura | FT-10ETF12S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
10ETF12S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 310ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETF12S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 10ETF12S-FT |
VS-10TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation