casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BY229B-800HE3/45
Número da peça de fabricante | BY229B-800HE3/45 |
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Número da peça futura | FT-BY229B-800HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BY229B-800HE3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 145ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-800HE3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BY229B-800HE3/45-FT |
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel