casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BY229B-800-E3/81
Número da peça de fabricante | BY229B-800-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-BY229B-800-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BY229B-800-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 145ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-800-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BY229B-800-E3/81-FT |
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel