casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9M23-80EX
Número da peça de fabricante | BUK9M23-80EX |
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Número da peça futura | FT-BUK9M23-80EX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M23-80EX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2808pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 79W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK33 |
Pacote / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M23-80EX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK9M23-80EX-FT |
RDN150N20FU6
Rohm Semiconductor
UPA2766T1A-E2-AY
Renesas Electronics America
UPA2812T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
UPA2813T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
RJK2009DPM-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5015DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJK6015DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJK6018DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJK60S7DPK-M0#T0
Renesas Electronics America
RJK0391DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel