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Renesas Electronics America RJK6018DPM-00#T1

Número da peça MFG
RJK6018DPM-00#T1
Quantidade disponível
79230 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Renesas Electronics America
Descrição breve
- MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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RJK6018DPM-00#T1 Especificações

Número da peça de fabricante RJK6018DPM-00#T1
Número da peça futura FT-RJK6018DPM-00#T1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
RJK6018DPM-00#T1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 60W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-3PFM
Pacote / caso TO-3PFM, SC-93-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6018DPM-00#T1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição RJK6018DPM-00#T1-FT

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