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Renesas Electronics America RJK60S7DPK-M0#T0

Name: RJK60S7DPK-M0#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK60S7DPK-M0#T0
Price: 5.6 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (203 reviews)

Número da peça MFG: RJK60S7DPK-M0#T0

Quantidade disponível: 12390 Peças

Preço de referência: USD 5.6

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

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RJK60S7DPK-M0#T0 Especificações

Número da peça de fabricante	RJK60S7DPK-M0#T0
Número da peça futura	FT-RJK60S7DPK-M0#T0
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RJK60S7DPK-M0#T0 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (máx.)	+30V, -20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 25V
Recurso FET	Super Junction
Dissipação de energia (máx.)	227.2W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3PSG
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK60S7DPK-M0#T0 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RJK60S7DPK-M0#T0-FT

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