casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK951R6-30E,127
Número da peça de fabricante | BUK951R6-30E,127 |
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Número da peça futura | FT-BUK951R6-30E,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
BUK951R6-30E,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 349W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK951R6-30E,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK951R6-30E,127-FT |
PSMN3R4-30PL,127
Nexperia USA Inc.
BUK6507-55C,127
NXP USA Inc.
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6510-75C,127
NXP USA Inc.
BUK652R0-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R1-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R3-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R6-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R7-30C,127
NXP USA Inc.
BUK653R2-55C,127
NXP USA Inc.
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel