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NXP USA Inc. BUK652R1-30C,127

Name: BUK652R1-30C,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK652R1-30C,127
Availability: InStock
Rating: 4.9 (695 reviews)

Número da peça MFG: BUK652R1-30C,127

Quantidade disponível: 94540 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BUK652R1-30C,127.pdf

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BUK652R1-30C,127 Especificações

Número da peça de fabricante	BUK652R1-30C,127
Número da peça futura	FT-BUK652R1-30C,127
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
BUK652R1-30C,127 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	168nC @ 10V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10918pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	263W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK652R1-30C,127 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BUK652R1-30C,127-FT

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