casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK652R7-30C,127
Número da peça de fabricante | BUK652R7-30C,127 |
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Número da peça futura | FT-BUK652R7-30C,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
BUK652R7-30C,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6960pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 204W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK652R7-30C,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK652R7-30C,127-FT |
BUK7M6R3-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M8R0-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M9R9-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M10-30EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M12-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M120-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M15-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M17-30EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M19-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M23-80EX
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel