casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9M120-100EX
Número da peça de fabricante | BUK9M120-100EX |
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Número da peça futura | FT-BUK9M120-100EX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M120-100EX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.05V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 882pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 44W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK33 |
Pacote / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M120-100EX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK9M120-100EX-FT |
RDN100N20
Rohm Semiconductor
RDN100N20FU6
Rohm Semiconductor
RDN120N25
Rohm Semiconductor
RDN120N25FU6
Rohm Semiconductor
RDN150N20FU6
Rohm Semiconductor
UPA2766T1A-E2-AY
Renesas Electronics America
UPA2812T1L-E1-AT
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UPA2813T1L-E1-AT
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RJK2009DPM-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5015DPM-00#T1
Renesas Electronics America
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
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EP20K1000EFC33-3
Intel