casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS126L6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BSS126L6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSS126L6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSS126L6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 25V |
Recurso FET | Depletion Mode |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS126L6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS126L6327HTSA1-FT |
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
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