casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2304BDS-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI2304BDS-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI2304BDS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI2304BDS-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 750mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2304BDS-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI2304BDS-T1-E3-FT |
FDN340P
ON Semiconductor
FDV303N
ON Semiconductor
NDS352AP
ON Semiconductor
SI2377EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2318DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2323DS-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002L
ON Semiconductor
SI2304BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN338P
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel