casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDN336P
Número da peça de fabricante | FDN336P |
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Número da peça futura | FT-FDN336P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDN336P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SuperSOT-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN336P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDN336P-FT |
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
NDS331N
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FDV302P
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NDS355AN
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2N7002E-T1-E3
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FDV303N
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SI2377EDS-T1-GE3
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SI2309CDS-T1-GE3
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LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
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XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
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EP2AGX190EF29I5
Intel