casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP295H6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSP295H6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSP295H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSP295H6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 368pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223-4 |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP295H6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSP295H6327XTSA1-FT |
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