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Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF

Name: IRFHM8326TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8326TRPBF
Price: 0.216032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (91 reviews)

Número da peça MFG: IRFHM8326TRPBF

Quantidade disponível: 83410 Peças

Preço de referência: USD 0.216032

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 25A PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFHM8326TRPBF.pdf

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IRFHM8326TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFHM8326TRPBF
Número da peça futura	FT-IRFHM8326TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFHM8326TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2496pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	-
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8326TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFHM8326TRPBF-FT

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