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Infineon Technologies IRFHM8329TRPBF

Name: IRFHM8329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8329TRPBF
Price: 0.23748 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (331 reviews)

Número da peça MFG: IRFHM8329TRPBF

Quantidade disponível: 30650 Peças

Preço de referência: USD 0.23748

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 16A PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFHM8329TRPBF.pdf

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IRFHM8329TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFHM8329TRPBF
Número da peça futura	FT-IRFHM8329TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFHM8329TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	16A (Ta), 57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.6W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PQFN (3x3)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8329TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFHM8329TRPBF-FT

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