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Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1

Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1
Price: 0.5024 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (204 reviews)

Número da peça MFG: BSP149H6327XTSA1

Quantidade disponível: 11890 Peças

Preço de referência: USD 0.5024

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSP149H6327XTSA1.pdf

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BSP149H6327XTSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSP149H6327XTSA1
Número da peça futura	FT-BSP149H6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
BSP149H6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	660mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 25V
Recurso FET	Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223-4
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP149H6327XTSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSP149H6327XTSA1-FT

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